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  • 解析投影式光刻机曝光分类备，每颗芯片诞生之初，都要经过光刻技术的锻造。   光刻机，又名掩模对准曝光机，光刻系统等。其有”接触式曝光“、”接近式曝光“、”投影式曝光“三种曝...2016-08-17 16:46:37
  • 使用光刻机曝光的三种方式 接触式曝光 接触式曝光是将掩膜与待加工基片的光胶层直接接触进行的曝光。掩膜和基片通过机械装置压紧或通过真空吸住等方法实现两者紧密接触。 优...2014-08-01 09:22:31
  • 光刻胶及光刻工艺流程ist简称PR）又称光致抗蚀剂，它是一种对光敏感的有机化合物，它受紫外光曝光后，在显影液的溶解度会发生变化。①光刻胶作用：将掩膜板上的图形转移到晶圆...2017-08-23 10:25:14
  • 光刻胶使用过程中的注意事项障等特殊情况下，涂完光刻胶的产品需要保留，保留的时间一般不超过8 小时，曝光前如已被感（即胶膜已失效），不能作为正品，需返工处理。  5、 前烘温度...2016-10-26 08:55:21
  • 光刻胶及光刻工艺流程     光刻胶又称为光致抗饰剂，它是一种对光敏感的有机化合物，受紫外光曝光后，在显影液中的溶解度会发生变化。主要作用是将掩膜板上的图形转移到晶圆表...2016-08-23 16:51:39
  • 微流控芯片的制作与修饰用激光直接在聚合物或玻璃上加热形成微结构所需仪器设备光刻机:光刻机/紫外曝光机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统...2016-06-14 14:42:59
  • 单层模具加工工艺在）。按照预定图形高度，设定匀胶机转速。匀胶后静置1~2min。四、硅片曝光根据光刻胶性能确定前烘时间，进行前烘处理；根据曝光机功率及光刻胶所需曝光...2016-04-25 16:50:48
  • URE-2000S/25 型单、双面    1．技术参数 曝光面积：100 mm×100mm（可升级为150 mm×150mm） 分辨力：1.2mm（胶厚2mm的正胶） 对准精度：±3mm（双面，片...2016-04-15 10:18:41
  • URE-2000A型光刻机  URE-2000A型光刻机 ◆ 曝光面积：150mm×150mm ◆ 分辨力：0.8-1μm（胶厚2μm的正胶） ◆ 对准精度：0.6μm ◆ 掩模样片整体运动范围：X...2016-04-15 09:09:37
  • URE-2000S/A型单、双面光刻机(厚胶型）URE-2000S/A 型单、双面   ◆ 曝光面积： 1 5 0 mm× 1 5 0 m m ◆ 分辨力： 1 μm（ 胶厚2 m 的正胶） ◆ 对准精度： 3 μm（ 双面, 片厚...2016-04-15 09:08:31
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