对于普通人来说，光刻机或许是一个陌生的名词，但它却是制造大规模集成电路的核心装备，每颗芯片诞生之初，都要经过光刻技术的锻造。
光刻机，又名掩模对准曝光机，光刻系统等。其有”接触式曝光“、”接近式曝光“、”投影式曝光“三种曝光模式。
对于光刻机三种曝光模式，我们都有所耳闻，但是对于投影式曝光，我们了解的甚少。
投影式曝光是指，在掩膜板与光刻胶之间使用光学系统聚集光实现曝光。一般掩膜板的尺寸会以需要转移图形的4倍制作。其优点是：提高了分辨率；掩膜板的制作更加容易；掩膜板上的缺陷影响减小。
投影式曝光目前分为三种，分别是”扫描投影曝光“、”步进重复投影曝光“、”扫描步进投影曝光“。
1、扫描投影曝光，应用于70年代末～80年代初，〉1μm工艺；掩膜板1：1，全尺寸；
2、步进重复投影曝光，应用于80年代末～90年代，0.35μm（I line）～0.25μm（DUV）。掩膜板缩小比例（4：1），曝光区域22×22mm（一次曝光所能覆盖的区域）。增加了棱镜系统的制作难度。
3、扫描步进投影曝光，应用于90年代末～至今，用于≤0.18μm工艺。采用6英寸的掩膜板按照4：1的比例曝光，曝光区：26×33mm。优点：增大了每次曝光的视场；提供硅片表面不平整的补偿；提高整个硅片的尺寸均匀性。但是，同时因为需要反向运动，增加了机械系统的精度要求。
