硅片标准清洗，放置200°电热板15min，烘干。
将硅片放置于挥发缸中，滴入1~2滴修饰试剂HMDS，挥发处理时间≥3min；
将光刻胶倒在处理后的硅片上（注意避免气泡存在）。按照预定图形高度，设定匀胶机转速。匀胶后静置1~2min。
根据光刻胶性能确定前烘时间，进行前烘处理；根据曝光机功率及光刻胶所需曝光计量设定曝光时间，进行曝光；曝光后，取出模板放置烘胶台，根据光刻胶性能确定中烘时间，进行中烘处理。
冷却后放入显影液中；具体显影时间由显影效果确定，显影2~3次，通风厨内氮气吹干。
将硅片放置于挥发缸中，滴入1~2滴修饰试剂tmcs，挥发处理。模具加工完成。
注：上文中所需相关仪器：电热板、匀胶机、烘胶台；耗材：光刻胶、显影液、硅片
