光刻胶又称为光致抗饰剂，它是一种对光敏感的有机化合物，受紫外光曝光后，在显影液中的溶解度会发生变化。主要作用是将掩膜板上的图形转移到晶圆表面顶层的光刻胶中；以及在后续工序中，保护下面的材料（刻蚀或离子注入）。
光刻胶的成分有树脂、感光剂、溶剂、添加剂。
主要的技术参数有：分辨率、对比度、敏感度、粘滞性、粘附性、抗蚀性、表面张力。
光刻胶分为正胶和负胶，正胶分辨率高，对比度好。而负胶拥有良好的粘附能力和抗刻蚀能力、以及感光快。目前主要应用于模拟半导体、发光二极管、微电子机械系统、太阳能光伏、微流道和生物芯片、光电子器件以及封装。
光刻工艺流程：前处理——》涂胶——》软烘烤——》对准曝光——》PEB——》显影——》硬烘烤——》校验。
目前整体来看，我国进口光刻胶占据国内87%的市场份额，自给率低。而国内光刻胶受益于半导体产业转移及国内电子化学品的迅速发展，需求增速远高于全球，国内从事光刻胶研发和生产的单位主要有苏州汶颢芯片科技有限公司和上海汶昌芯片科技有限公司。这些企业将有望率先实现技术突破，抓住历史发展机遇。