氧化
氧化是将硅片在氧化环境中加热到900~1100℃的高温，在硅的表面上生长出的一层二氧化硅。
根据所用氧化剂的不同，氧化又可分为
其化学反应方程式分别为：
Si+2H2O→SiO2+2H2 水汽氧化
Si+O2→SiO2 干氧氧化
化学气相沉积
化学气相沉积是气态反应物在反应器中通过特定的化学反应，使反应产物沉积在加热基片上镀膜过程的总称。
分为常压化学气相沉积、低压化学气相沉积(LPCVD)和等离子体化学气相沉积(PECVD)。
一般而言常用化学气相沉积法制备多晶硅、二氧化硅和氮化硅薄膜。
蒸发
薄膜制备工艺的蒸发是在真空环境中加热金、铬、铝、硅等单质或三氧化二铝、二氧化硅等化合物，使它们气化为气态原子或分子沉积在基片表面形成薄膜。
溅射
溅射镀膜的原理是在真空室内使微量氩气或氦气电离，电离后的离子在电场的作用下向阴极靶加速运动并轰击靶，将靶材料的原子或分子溅射出来，在作为阳极的基片上形成薄膜。
