三氧化二铝陶瓷： ——占陶瓷基片材料的90%； ——热导率不足以满足大功率集成电路应用。
氮化铝陶瓷： ——高热导率（为三氧化二铝5倍以上），适用于高功率； ——制备工艺复杂，成本高。
氧化铍陶瓷： ——高导热、理想高频特性（适合上天电子设备）； ——工艺毒性，成本高。
