先进的加工生产设备

 

电子束曝光机（JBX5500ZA）

背景：

      电子束曝光是利用某些高分子聚合物对电子敏感而形成曝光图形的，与光学曝光对应，其特点是将聚焦电子束代替光照以实现抗蚀剂（光刻胶）的曝光（改性）。在实验室广泛应用的电子束曝光机为矢量扫描高斯型系统，即：电子束斑为高斯线型，工作时采用矢量扫描方式。电子束曝光无需掩膜，可实现低至10nm线宽图形，是目前纳米技术研究中非常重要的纳米图形生成手段。

技术指标：

Accelerating voltage： 25/50 kV

Minimum line width： 10 nm （50 kV･5th）

Overlay Accuracy： 40 nm

Field stitching Accuracy: 40 nm

Exposure range： 直径75 mm

Scan speed：12 MHz to 250 Hz

 

 

 

步进投影光刻机（NSR1755i7B）

背景：

      把掩膜版上的图形按照一定的比例缩小复制到涂布有光刻胶的晶圆上，分区域进行步进式曝光。本机台可用于125mm×125mm掩模和φ100mm及150mm的晶圆高精度投影曝光，曝光精度可达500nm。

 

技术指标：

RESOLUTION：0.5μm

LENS DISTORTION：≤0.9μm

RETICLE ALIGNMENT ACCURACY：≤0.02μm

STEPPING ACCURACY：≤0.08μm

OVERLAY ACCURACY：≤0.15μm(X,Y)

OPEN FLAME(MAX. EXPOSURE AREA)：17.5×17.5mm

 

 

 

六英寸双面对准光刻机（SUSS MA6/BA6）

背景

      SUSSMA6光刻机是设计用于实验室研发，小批量生产的高分辨率光刻系统。该光刻机供了最好的基片适应性，可夹持不同厚度不同形状的晶片。同时标准尺寸基片最大直径为150mm。处理最大厚度可达6mm的晶片。SUSS MA6提供了各种接触式曝光程序。X-和Y-向位移精度在0.1μm以下。使用400nm的宽带光源曝光波长在真空模式下分辨率为0.7μm。同时可以选用不同的对准装置，分离视场顶部对准显微镜或视频显微镜，BSA底面对准显微镜对准方式。是目前实验室光刻技术中最为常用和重要的光刻设备。

技术指标：

Wafer size： 2inch，4inch，6inch and un-normal small wafers

Exposure mode：（Vac, hard, soft, proximity）

Minimum line width：0.7μm（Vac）

Overlay Accuracy： 0.5μm

 

 

晶片键合机（SUSS CB6L）

背景：

     晶圆键合介绍：晶圆键合技术是将两片晶圆相互结合，对于某些键合是利用表面原子相互反应，产生共价键，使两者结为一体。也可以是利用中间介质的粘合性使两个片子相互结合。晶圆键合可以满足微电子材料，光电材料及其纳米等级微机电元件的制作和封装需求，可结合不同晶格、不同种类的材料。在器件的物理特性，化学特性，电子特性都有非常广阔的前景。SUSS CB6L键合机是设计用于实验室研发，小批量生产的晶圆级键合系统。CB6L键合机在工艺过程中对温度和压力可精确控制、实现动态降温和快速升温的功能、以及计算机控制的晶圆处理过程。该键合机可以实现阳极键合，共晶键合，熔融键合等等，可以实现真空和氮气环境下键合。同时键合机还兼容使用SUSS MA/BA掩模对准光刻机和开放式设计的夹具，实现对准键合。

技术指标：

Wafer size： 4inch，6inch

Maximum temperature：500℃

Maximum pressure：4000mBar

Maximum voltage：-2000V

Ultimate pressure：1×10-4 mBar

Overlay error：±5μm

 

 

显影机（SSE OPTIspinST22）

背景：

主要功能是旋转半自动显影，操作方便，性能可靠。

技术指标：

Wafer size：2inch，4inch，6inch

Rotate speed accuracy：±2rpm

Temperature accuracy：0.1℃

Maximum temperature：300℃

Temperature uniformity：小于±0.5℃/300mm

 

 

 

激光划片机（New Wave Titan ）

背景：

     激光划片是利用高能量激光在样品表面烧灼出一定深度的沟道，实现样品表面的切割，即解理管芯的目的。Titan激光划片机为355nm烧蚀加工系统，主要针对GaN、Sapphire材料：可实现低至5μm切割线宽，和标准LED 2inch片 5wph的划切速度，是目前半导体封装工艺的主流切割手段。

技术指标：

According to  350μm×350μm chips，2inch  wafer

Capacity： 5  wafers/hour

Scribed time/wafer：  ≤11min

Aligned time/wafer：  ≤60 s

Scribed Depth：  20μm±10%

Scribed width：  5.0μm (typical)

Stage route： 100 mm×100 mm

Coding resolution： 0.1μm

Horizontal precision： 1.0μm

Precision： 1.5μm(50mm),＜ 5μm(100mm)

Repeat precision：1μm